2025년 기준 삼성전자의 증설 로드맵

삼성전자의 증설 로드맵은 메모리(DRAM, NAND) 분야에서는 평택 캠퍼스를 중심으로 AI 메모리(HBM) 생산 능력을 확보하는 것이 핵심이며, 파운드리(시스템 반도체 위탁생산) 분야에서는 미국 테일러 팹을 통해 최첨단 공정 경쟁력을 강화하는 투 트랙 전략으로 요약할 수 있습니다.

특히 2026년과 2027년은 AI 반도체 시장 주도권을 잡기 위한 대규모 투자와 신기술 도입이 집중되는 시기입니다.

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🏭 국내 증설 로드맵: 평택 캠퍼스 (P5 중심)

평택 캠퍼스는 삼성전자 반도체 생산의 핵심 기지이며, AI 메모리 수요에 대응하기 위한 증설이 재개되고 있습니다.

구분	주요 내용	목표 시점
평택 P5 공장 착수	2단지 5라인(P5) 골조 공사 등 건설 재개 결정. (당초 투자 침체로 연기되었으나 HBM 수요로 재개)	진행 중
평택 P5 공장 가동	2028년부터 본격 가동 예정.	중장기
평택 P4 공장 증설	P4 라인의 생산 설비 추가 공사 재개.	단기/집중
생산 품목	HBM 등 차세대 고용량 메모리 (DRAM, NAND) 생산 능력 확충. P5는 AI 인프라 투자 확대에 따른 중장기 메모리 수요 대응 역할.
전략	HBM4 등 차세대 메모리 경쟁력을 강화하고 메모리 시장의 주도권을 확실히 하려는 선제적 투자.

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🇺🇸 해외 증설 로드맵: 미국 테일러 팹 (파운드리)

미국 테일러 팹은 삼성전자 파운드리(위탁생산) 사업의 성패를 가르는 핵심 기지이며, AI 칩 생산에 집중하는 전략을 채택했습니다.

구분	주요 내용	목표 시점
테일러 팹 가동	2026년 말 또는 2027년 초 본격 양산 돌입 목표.	가시화
주요 품목/공정	당초 4나노 위주에서 최선단 2나노(nm) 공정 중심으로 전략 수정. 테슬라, 애플 등 빅테크의 AI/고성능 맞춤형 칩 위탁생산 중점.
경영 목표	2027년 파운드리 사업 흑자전환 목표를 수립.	전환점
전략	TSMC와의 초미세 공정 경쟁에서 2나노 기술력으로 승부수를 띄우고, 미국 내 AI 반도체 공급망 핵심으로 자리매김 목표.

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💡 기술 혁신 로드맵: 파운드리 신기술 도입

증설과 함께 기술적인 로드맵도 공격적으로 추진하고 있습니다.

세대	기술 및 품목	목표 시점	특징 및 역할
1.4nm	최선단 파운드리 공정	2027년 양산 도입 목표	AI 반도체 성능을 대폭 높일 수 있는 후면전력공급(BSPDN), 광학 소자(실리콘 포토닉스) 등 신기술 대거 도입.
HBM4 (메모리)	6세대 HBM	2026년 하반기 양산 목표	로직 다이 설계에 파운드리 기술을 접목하여 성능과 전력 효율을 극대화.

삼성전자는 2026년 이후 AI 반도체 수요가 폭발적으로 늘어날 것을 예상하고, 국내외 생산 라인과 첨단 공정 기술을 동시에 확보하여 메모리와 파운드리 양쪽에서 전례 없는 성장 궤도에 진입하는 것을 목표로 하고 있습니다.

테일러 공장이 삼성전자 파운드리 흑자 전환의 핵심인 이유

이 영상은 삼성전자가 막대한 투자를 단행한 미국 테일러 파운드리 공장이 왜 삼성전자 파운드리 사업의 흑자 전환 목표 달성에 핵심적인 역할을 할 것인지에 대해 설명합니다.