2025년 기준 하이닉스 증설 로드맵

SK하이닉스의 현재 증설 계획은 AI(인공지능) 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 수요 폭증에 대응하기 위한 '대규모 선제 투자' 전략이 핵심이며, 크게 **단기 계획(청주 M15X)**과 **중장기 계획(용인 클러스터)**으로 나눌 수 있습니다.

최신 정보를 종합하면 다음과 같습니다.

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🚀 SK하이닉스 핵심 증설 계획 (2025년 ~ 2027년)

1. 단기 증설: 청주 M15X (HBM 생산 가속화)

현재 가장 빠르게 진행되고 있는 증설 프로젝트입니다.

구분	주요 내용	목표 시점
위치	충북 청주 테크노폴리스 산업단지
투자 규모	장기적으로 20조 원 이상 투자 계획
주요 품목	HBM 등 차세대 D램 (특히, HBM4 코어 다이용 10나노급 5세대 D램 생산)
장비 반입	2025년 10월 (당초 계획보다 2개월가량 앞당김)	완료
준공 및 가동	2025년 4분기 준공 및 2026년 초 본격 양산 돌입 목표	가시화
전략	용인 클러스터 가동 전까지 HBM 생산 능력 확충의 핵심 기지 역할

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  투자 규모 확대: AI 메모리 수요 급증에 따라 2026년 설비투자(CAPEX) 규모를 올해보다 상당한 규모로 늘릴 계획이며, 업계에서는 30조 원대를 상회할 것으로 전망하고 있습니다.
• 생산 목표: M15X 가동으로 HBM 생산 능력을 확대하여 2026년 HBM 공급 물량이 이미 **'완판'**될 정도로 시장 선두 입지를 굳힌다는 계획입니다.

2. 중장기 증설: 용인 반도체 클러스터

미래 첨단 메모리 생태계 구축을 위한 초대형 프로젝트입니다.

구분	주요 내용	목표 시점
위치	경기도 용인시 원삼면 일대
총 규모	총 부지 약 415만 ㎡에 4개의 팹 건설 계획
총 투자 규모	약 120조 원 (2046년까지)
현재 상황	현재 부지 조성 및 인프라 구축 공사 진행 중
첫 번째 팹 착공	2026년 3월 목표 (최신 로드맵)	진행 중
첫 번째 팹 준공	2027년 5월 목표	진행 중

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  생산 목표: 용인 클러스터는 SK하이닉스의 장기적인 성장 동력이며, HBM4를 포함한 차세대 D램 및 시스템 반도체 생산 거점으로 자리매김할 예정입니다.

3. 차세대 HBM 로드맵

SK하이닉스는 HBM 시장의 주도권을 유지하기 위해 기술 증설에도 집중하고 있습니다.

• HBM4 (5세대): 2026년부터 HBM4(8·12·16단) 및 고객 맞춤형 HBM4를 순차적으로 선보이고, 2027년 양산을 목표하고 있습니다.
• HBM5 (6세대) 이후: 2029년~2031년에는 HBM5와 HBM5E를 출시할 계획입니다.

SK하이닉스의 증설 계획은 단순히 생산 능력을 늘리는 것을 넘어, AI 메모리 중심의 고부가가치 제품 포트폴리오로 완전히 전환하는 전략적 선택이라고 볼 수 있습니다.